在半導體制造業中，細微尺寸圖案的制定是借助蝕刻技術以形成積體電路的器件架構，而蝕刻技術中的濕法蝕刻是利用一些特定化學試劑將待蝕刻薄膜部分分解，轉化為可溶性化合物進入水相而達到蝕刻目的。正如利用氫氟酸為主要蝕刻液，選擇性腐蝕硅片上薄膜，氟化銨作為緩沖劑保持蝕刻率與氫氟酸依比例混合使用，同時為提高潤濕性還加入了一些有機類添加劑或表面活性劑。待蝕刻完成后會有大量蝕刻廢水產生，此廢水中含有氟硅酸、氟化銨與有機物等，若未經處理直接排放，則會對水體環境造成損害，甚至于危害地下水及飲用水源，進而影響人類健康。

與其他含氟廢水處置類似，一般是通過沉淀法將水相中氟以沉淀物進行固定，但隨之面臨的是污泥量巨大，二次處置成本較高。尤其，諸如此類成分復雜的蝕刻廢水，如何實現合理有效地處置是行業內時刻關注的重點。如專利公開號CN 106517244 A中通過除雜將含氟蝕刻廢液制備氟化氫銨，但其直接使用氨水中和除雜，過程中可能會出現氨味溢出難以控制的情況；再如專利公開號CN 104843818 A中使用一種螯合樹脂吸附除氟，但樹脂價格昂貴，且使用后還需再生處理，從經濟角度一般僅適用于低氟廢水處理。

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